论文部分内容阅读
力旺电子宣布完成0．15微米高电压制程之Neobit硅智财的技术开发。在达成此项里程碑后，力旺电子的嵌入式非挥发性内存Neobit硅智财已广泛地建置于组件制造整合厂（IDM）与晶圆代工厂高压制程平台之上，其涵盖了0．6微米、0．5微米、0．35微米、0．25微米、0．22微米、0．18微米与0．15微米的制程技术。