【摘 要】
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以高纯石墨作靶、Ar/CHF3作源气体采用射频反应磁控溅射法室温下制备了氟化类金刚石薄膜(F-DLC).发现随着射频功率的增加,F-DLC薄膜拉曼光谱的D峰与G峰强度之比ID/IG加大,薄
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以高纯石墨作靶、Ar/CHF3作源气体采用射频反应磁控溅射法室温下制备了氟化类金刚石薄膜(F-DLC).发现随着射频功率的增加,F-DLC薄膜拉曼光谱的D峰与G峰强度之比ID/IG加大,薄膜中芳香环式结构比例上升.红外吸收光谱则显示射频功率增加导致薄膜中的氟含量上升,氟原子与碳原子以及芳香环的耦合加强.控制射频功率可以有效调制薄膜中的氟含量以及芳香环结构的比例,F-DLC可能成为热稳定性较好的碳氟薄膜.
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