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Sn量子点的研究进展
Sn量子点的研究进展
来源 :材料导报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhoudm2005
【摘 要】
:
Sn量子点可用于制作单电子器件、高密度存储单元、红外探测器以及发射器等,具有重要的研究意义。介绍了离子注入、分子束外延、磁控溅射和固相外延等各种制备Sn量子点的生长技
【作 者】
:
赵希磊
王科范
张伟风
顾玉宗
【机 构】
:
河南大学微系统物理研究所和光伏材料省重点实验室
【出 处】
:
材料导报
【发表日期】
:
2010年1期
【关键词】
:
Sn量子点
生长技术
光学性质
电学性质
理论计算
Sn quantum dot
growth technique
optical property
el
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Sn量子点可用于制作单电子器件、高密度存储单元、红外探测器以及发射器等,具有重要的研究意义。介绍了离子注入、分子束外延、磁控溅射和固相外延等各种制备Sn量子点的生长技术,综述了Sn量子点的光学性质、电学性质以及理论计算研究结果,指出了Sn量子点研究面临的关键问题以及研究方向。
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