热丝辅助射频CVD C3N4薄膜

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：A467329555

【摘要】

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采用热丝辅助射频等离子体增强化学气相沉积(CVD)方法直接在Si(100)衬底上制备了多晶C3N4薄膜.X射线衍射(XRD)测试表明薄膜同时含有α-C3N4和β-C3N4晶相以及未知结构.傅立叶

【作者】

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吴现成贺德衍王博严辉陈光华

【机构】

：

兰州大学物理系,兰州730000北京工业大学应用物理系,北京100022;

【出处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2000年3期

【关键词】

：

化学气相沉积氮化碳薄膜 X射线衍射扫描电镜硬度

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采用热丝辅助射频等离子体增强化学气相沉积(CVD)方法直接在Si(100)衬底上制备了多晶C3N4薄膜.X射线衍射(XRD)测试表明薄膜同时含有α-C3N4和β-C3N4晶相以及未知结构.傅立叶变换红外吸收谱(FTIR)表明薄膜内的C-N, C＝N和 C≡N 键的吸收峰分别位于1237,1625和2191cm-1.利用扫描电子显微镜(SEM)观测到线度约为2μm、横截面为六边形的β-C3N4晶粒.纳米压痕法测得薄膜的硬度最高可达72.66GPa.

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