【摘 要】
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以盆栽垂柳、苏柳‘J172’及银芽柳为材料,利用MINI-IMAGING-PAM荧光成像测定系统,测定了Cd2+胁迫下柳树叶片叶绿素荧光淬灭特性及各荧光参数的光响应曲线。结果表明,Cd2+胁
【机 构】
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中国林业科学研究院林业研究所林木遗传育种国家重点实验室国家林业局林木培育重点实验室;
【基金项目】
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中央级公益性科研院所基本科研业务费专项(ZD200916、RIF2010-07、RIF2010-11)
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以盆栽垂柳、苏柳‘J172’及银芽柳为材料,利用MINI-IMAGING-PAM荧光成像测定系统,测定了Cd2+胁迫下柳树叶片叶绿素荧光淬灭特性及各荧光参数的光响应曲线。结果表明,Cd2+胁迫下柳树叶片初始荧光(F0)与最大荧光(Fm)均显著增大,200mg/LCd2+处理2周时,F0与Fm均达到峰值。并分析了200mg/LCd2+胁迫下各柳树叶片叶绿素荧光参数的光响应,结果显示:PSⅡ最大光化学效率(Fv/Fm)、PSⅡ实际光量子效率(PSⅡ)、光化学淬灭系数(qP)随光化光强度的增加呈下降趋势;同光强作用下,受Cd2+胁迫的3种柳树叶片PSⅡ与qP均显著降低,但柳树种间存在显著差异;PSⅡ调节性能量耗散的量子产额YNPQ、非光化学淬灭系数(qN)与表观电子传递速率(ETR)则随着光化光强度增加呈上升趋势;同光强作用下,Cd2+胁迫使YNPQ、qN与ETR显著提高;Cd2+胁迫下,柳树叶片PSⅡ非调节性能量耗散的量子产额YNO随光强的增加无明显变化,均稳定在较低水平,但显著高于对照。推断柳树通过增加非光化学淬灭形式耗散过剩能量或提高光化学转化与光能利用效率,调节PSⅡ反应中心开放程度与活性,表现出对Cd2+胁迫的耐性。
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