p型ZnO和ZnO同质p-n结的研究进展

来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：runnerups

【摘要】

：

ZnO基注入式发光二极管和激光器件的研究目前仍处于初级阶段,即p型ZnO和ZnOp-n结的制备与特性研究.由于ZnOO薄膜中存在较强的自补偿机制,使得很难有效地施行p型元素的掺杂.本

【作者】

：

许小亮杨晓杰付竹西

【机构】

：

中国科学技术大学

【出处】

：

功能材料

【发表日期】

：

2003年2期

【关键词】

：

P-N结 ZNO 发光二极管激光器件掺杂研究进展半导体材料 p-type ZnO p-n homojunctions UV light emitti

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

ZnO基注入式发光二极管和激光器件的研究目前仍处于初级阶段,即p型ZnO和ZnOp-n结的制备与特性研究.由于ZnOO薄膜中存在较强的自补偿机制,使得很难有效地施行p型元素的掺杂.本文介绍了目前国际上通用的掺杂方法,对不同方法制备的p型ZnO和ZnOp-n结的特点进行了比较分析,并讨论了目前生长高质量的突变型ZnOp-n结所面临的问题.

其他文献

有机/无机杂化钙钛矿（C4H9NH3）2ZnCl4的制备与表征

合成了新型的有机/无机杂化钙钛矿(C4H9NH3)2ZnCl4,采用元素分析、红外光谱和X射线衍射对其结构进行了表征,结果表明这种材料具有规则的层状结构,有序性高,热分析结果表明(C4

期刊

有机/无机杂化钙钛矿晶体有序结构organic-inorganic hybrid perovskite crystalline well-orde

双离子束溅射制备非晶SiOxNy薄膜的强黄光发射

用双离子束溅射法制备了SiOxNy薄膜，并对薄膜的结构和光致发光（PL）性质进行了研究。XRD和TEM的实验结果表明薄膜是非晶结构,用XPS对样品进行了表征，在397．8eV位置处出现一个对应于

期刊

硅氮氧薄膜光学带隙光致发光(PL)silicon oxlnltrlde fllm t optical band gap photolumlnescenc

p型ZnO和ZnO同质p-n结的研究进展

其他学术论文