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β－Ｃ３Ｎ４晶体是一种新型假想材料，其结构和β－Ｓｉ３Ｎ４晶体相似。β－Ｃ３Ｎ４材料从理论上预言可能具有比金刚石还大的体积模量，并有较为特殊的电学和光学性能。高含氮量的ＣＮ膜和多晶β－Ｃ３Ｎ４的研究成为目前的研究重点。原子比Ｎ：Ｃ〉１的ＣＮ膜和颗粒直径约为０．５μｍ的多晶已有报导。多晶体的研究倾向于采用低能Ｎ离子辅助沉积。掺杂元素的研究对ＣＮ膜的半导体性能的影响将成为该领域的又一新的研究方向。