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为进一步优化HfO2/Si界面的电学性能,本文采用RTA工艺处理HfO2/Si样品,并分析了相应MOS器件的C-V特性。实验结果显示,HfO2/Si界面存在大量的氧化物陷阱电荷,而RTA工艺可以有效修复氧化物陷阱,有效改善HfO2/Si结构MOS器件的电学特性。
RTA工艺对HfO2/Si界面电学特性的影响
【摘 要】
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为进一步优化HfO2/Si界面的电学性能,本文采用RTA工艺处理HfO2/Si样品,并分析了相应MOS器件的C-V特性。实验结果显示,HfO2/Si界面存在大量的氧化物陷阱电荷,而RTA工艺可以有
【机 构】
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国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心
【出 处】
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河南科技
【发表日期】
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2019年13期
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