LSMO缓冲层对PTZT铁电薄膜性能的影响

来源 :华中科技大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：papyevin

【摘要】

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采用射频磁控溅射法在Pt/TiOx/SiO2/Si基片上制备了以La2/3Sr1/3MnO3（LSMO）为缓冲层的Pb1.2（Ta0.01Zr0.3Ti0.69）O3（PTZT）薄膜,研究了LSMO层及沉积温度对PTZT薄膜性能的影响.XRD分析

【作者】

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杨卫明彭刚李建军于军

【机构】

：

华中科技大学电子科学与技术系

【出处】

：

华中科技大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2008年8期

【关键词】

：

电子材料铁电薄膜射频磁控溅射铁电性能 electronic material ferroelectric film RF （radio frequen

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采用射频磁控溅射法在Pt/TiOx/SiO2/Si基片上制备了以La2/3Sr1/3MnO3（LSMO）为缓冲层的Pb1.2（Ta0.01Zr0.3Ti0.69）O3（PTZT）薄膜,研究了LSMO层及沉积温度对PTZT薄膜性能的影响.XRD分析表明直接在基片上和在300℃沉积的LSMO缓冲层上生长的PTZT薄膜均为随机取向,而在600℃沉积的LSMO缓冲层上生长的PTZT薄膜为（111）择优取向.铁电特性分析表明LSMO缓冲层明显改善了PTZT薄膜的性能：在600℃沉积的LSMO缓冲层上制备的PTZT薄

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