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分析了ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＧａＡｌＰ外延层时，气路系统中ＩＩＩＡ族源气的输运和扩散过程，从理论止推导出源气流量的计算公式，讨论了生长控制参数、气路管道几何尺寸和源气性质等对注入反应室的源气流量的影响，为精确控制气相中ＩＩＩＡ族源物质的百分含量提供了理论依据。
LP-MOCVD生长InGaAlP系统中源气流量的动力学研究
【摘 要】
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分析了ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＧａＡｌＰ外延层时，气路系统中ＩＩＩＡ族源气的输运和扩散过程，从理论止推导出源气流量的计算公式，讨论了生长控制参数、气路管道几何尺寸和源气性质等对注入反应室的源气流量的影响，为
【机 构】
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华南师范大学MOCVD实验室,华南理工大学应用物理系
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2000年6期
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