【摘 要】
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在Hg_(1-x)Cd_xTe合金半导体的基本吸收区中,作为频率或能量函数的透射变化率,呈现有一个最大值。这个最大值的陡度出现在吸收限的尾部,经分析频率与组分有关。从体晶和外延H
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在Hg_(1-x)Cd_xTe合金半导体的基本吸收区中,作为频率或能量函数的透射变化率,呈现有一个最大值。这个最大值的陡度出现在吸收限的尾部,经分析频率与组分有关。从体晶和外延Hg_(1-x)Cd_xTe室温红外透过率的实验测量表明:对透过率曲线在(dT_r/dE)_(max)处的分析,能确定给定样品的组分和组分均匀性。
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