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采用Na助熔剂法在7MPa氮压下并引入较大温度梯度（20～70％／cm），获得了大量毫米级的CaN晶体，GaN晶体产率高达70％以上。光学及SEM照片显示其晶形大部分为六方锥体。晶体粉末衍射分析表明，生成的GaN单晶具有六方纤锌矿结构，与标准卡片符合得很好，而单晶衍射图谱中出现（1011）的衍射峰，说明GaN单晶锥面为{1011}，其（1011）面的摇摆曲线的半高宽仅为4．4arcsec，室温下采用He-Cd325nln激光器激发的GaN单晶的PL谱，最高峰位于标准GaN材料的365nm处，峰的半高宽为1