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软击穿是与氧化层质量密切相关的一种新的击穿形式.当氧化层厚度小于5 nm时,软击穿效应显著,是超薄栅氧化层的主要失效机理.通过对国外软击穿研究状况的分析,对超薄栅氧化层中软击穿的失效模型和机理进行了综述.
超薄栅氧化层中的软击穿的击穿机理和击穿模型
【摘 要】
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软击穿是与氧化层质量密切相关的一种新的击穿形式.当氧化层厚度小于5 nm时,软击穿效应显著,是超薄栅氧化层的主要失效机理.通过对国外软击穿研究状况的分析,对超薄栅氧化层
【机 构】
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华南理工大学应用物理系
【出 处】
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电子产品可靠性与环境试验
【发表日期】
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2004年3期
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