【摘 要】
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以具有较高迁移率的对称取代类蒽的衍生物{2,6-二[2-（4-戊基苯基）乙烯基]蒽,DPPVAnt;2,6-二-噻吩蒽,DTAnt;2,6-二[2-己基噻吩]蒽,DHTAnt}为研究对象,采用密度泛函理论的B3LYP方
【机 构】
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吉林大学超分子结构与材料国家重点实验室,中国人民武装警察部队学院基础部
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以具有较高迁移率的对称取代类蒽的衍生物{2,6-二[2-（4-戊基苯基）乙烯基]蒽,DPPVAnt;2,6-二-噻吩蒽,DTAnt;2,6-二[2-己基噻吩]蒽,DHTAnt}为研究对象,采用密度泛函理论的B3LYP方法,在6-31G（d）的基组水平上研究了三种蒽类衍生物的分子结构、电子结构、重组能和电荷传输积分,采用Einstein关系式计算了室温下的载流子迁移率,并与蒽的相关计算结果进行了比较.DPPVAnt是较好的空穴传输材料,其空穴迁移率为0.49cm2·V-1·s-1;DHT
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