【摘 要】
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采用Nd∶Gd0.1Y0.9VO4晶体作为增益介质和Z形腔结构,分析比较了腔内加入自行设计的镀和不镀高反膜的半导体可饱和吸收镜(SESAM)对激光锁模的影响.在腔内加入镀膜SESAM后,激光
【机 构】
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北京大学信息科学技术学院量子电子学研究所,天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光研究室信息技术科学教育部重点实验室,天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光研究室,信息技术科学教育部重点实验室,
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采用Nd∶Gd0.1Y0.9VO4晶体作为增益介质和Z形腔结构,分析比较了腔内加入自行设计的镀和不镀高反膜的半导体可饱和吸收镜(SESAM)对激光锁模的影响.在腔内加入镀膜SESAM后,激光锁模阈值由1.69 W下降为1.45W,并且锁模更稳定.在2 W抽运功率下,在1064 nm中心波长处获得了双端250 mW的连续锁模输出,光光转换效率为12.5%,重复频率为142.25 MHz.
Nd: Gd0.1Y0.9VO4 crystal was used as the gain medium and the Z-shaped cavity structure. The effects of adding SESAM (self-designed and non-coated high reflective film) on the laser mode-locking were analyzed and compared. With the addition of the coated SESAM into the cavity, the laser mode-lock threshold was reduced from 1.69 W to 1.45 W and the mode-locking was more stable. A double-ended 250 mW continuous mode-lock was obtained at 1064 nm center wavelength at 2 W pumping power Output, light conversion efficiency of 12.5%, repeat frequency of 142.25 MHz.
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