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用工业尾料低纯W3.5 μm SiC微粉为原料，在N2保护下烧结碳化硅（SiC）陶瓷。研究了低纯SiC微粉中杂质对SiC陶瓷力学性能的影响，对比了微粉提纯后材料的性能与结构。通过扫描电镜、金相显微镜分析材料的显微结构。结果表明：微粉杂质中SiO2、金属氧化物在SiC烧结温度下的放气反应是影响陶瓷材料力学性能的主要因素。由低纯SiC粉制得的材料的烧结密度达到（3．15±0．01）g／cm^3，抗折强度达到（441±10）MPa。