多层膜CIA预制层后硒化法制备Cu(In1-xAlx)Se2薄膜的研究

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【摘要】

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本文用真空蒸发法在玻璃衬底上蒸镀Cu-In-Al多层膜,后采用真空硒化退火获得Al含量不同的Cu(In1-xAlx)Se2多晶薄膜.通过SEM和XRD微观形貌结构分析发现,薄膜中Al的含量对薄膜的

【出处】

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真空

【发表日期】

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2009年6期

【关键词】

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Cu(In1-xAlx)Se2薄膜硒化 Al/(In+Al)

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本文用真空蒸发法在玻璃衬底上蒸镀Cu-In-Al多层膜,后采用真空硒化退火获得Al含量不同的Cu(In1-xAlx)Se2多晶薄膜.通过SEM和XRD微观形貌结构分析发现,薄膜中Al的含量对薄膜的表面形貌和结构有一定影响.Al/(In+Al)比例越大,越容易获得尺寸较小、分布比较均匀的晶粒.同时Al含量对薄膜的方阻有一定的影响,Al含量越高,方阻越大.而且Al含量的多少可以调节薄膜的禁带宽度的大小.

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