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碳化硅是一种宽禁带半导体材料，适用于制作大功率器件，其材料的特点决定了碳化硅的掺杂需使用离子注入技术。然而，碳化硅P型注入仍存在许多问题，是当前研究的热点。文中在总结比较了国际该领域研究现状的基础上，分析讨论了各种碳化硅P型注入方法的优缺点，并指出了使用混合离子注入来改善注入层特性是今后制备P型SiC比较理想的技术。