集成差分式PH-ISFET的研究

来源 :仪器仪表学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tastgaoyan1981
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本文扼要地叙述了集成差分式氢离子敏感器的原理、制备和特性。由于具有温度补偿作用的M OSFET 与ISFET 集成在同一芯片上,显著地降低了共模噪声和温度的影响,并保持了良好的灵敏度、线性和选择性等性能指标。 This article briefly describes the principle, preparation and characteristics of the integrated differential hydrogen ion sensor. Because of the temperature compensation of the M OSFET and ISFET integrated on the same chip, significantly reducing the impact of common mode noise and temperature, and maintain good sensitivity, linearity and selectivity and other performance indicators.
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