微波通信用高电子迁移率晶体管(HEMT)

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日本东芝公司研制出两个品种高电子迁移率晶体管,现已大量投入使用。该晶体管在卫星通信与卫星广播所使用的微波和毫米波这种超高频波段(1~40GHz)内.约能放大10倍,噪声也比目前正在使用的GaAs晶体管降低一半左右。 Toshiba Corporation developed two varieties of high electron mobility transistor, is now a large number of put into use. The transistor is capable of amplifying by a factor of 10 and reducing the noise by about half compared to the GaAs transistors currently in use in the UHF band (1 to 40 GHz) of microwave and millimeter wave used in satellite communications and satellite broadcasting.
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