【摘 要】
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通过调整陶瓷结合剂中n(Na2 O)/n(2B2 O3·Al2 O3),来探究n(Na2 O)/n(2B2 O3·Al2 O3)对陶瓷结合剂金刚石磨具性能的影响.当n(Na2 O)/n(2B2 O3·Al2 O3)=1.2时,磨具试样的强度(69MPa)和硬度(121HRB)达到最大值.随着碱金属氧化物Na2 O添加量的增加,结合剂的耐火度随之显著降低,流动性和热膨胀系数增加.磨具试样断口SEM照片表明,适量的碱金属氧化物Na2 O能够使磨具断面空隙减少,孔隙度降低,结合剂与磨料分布更加均匀,结合剂与磨料
【机 构】
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中南大学,粉末冶金国家重点实验室,长沙 410083;珠海市巨海科技有限公司,珠海 519110
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通过调整陶瓷结合剂中n(Na2 O)/n(2B2 O3·Al2 O3),来探究n(Na2 O)/n(2B2 O3·Al2 O3)对陶瓷结合剂金刚石磨具性能的影响.当n(Na2 O)/n(2B2 O3·Al2 O3)=1.2时,磨具试样的强度(69MPa)和硬度(121HRB)达到最大值.随着碱金属氧化物Na2 O添加量的增加,结合剂的耐火度随之显著降低,流动性和热膨胀系数增加.磨具试样断口SEM照片表明,适量的碱金属氧化物Na2 O能够使磨具断面空隙减少,孔隙度降低,结合剂与磨料分布更加均匀,结合剂与磨料结合界面更加紧密.当n(Na2 O)/n(2B2 O3·Al2 O3)=1.1时,磨具试样的磨耗比达到最大值120.
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针对22 nm全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)工艺静态随机存储器(SRAM)开展了重离子实验,对比了不同加固设计的FDSOI SRAM的抗单粒子翻转(SEU)和多单元翻转(MCU)能力,分析了读写错误致存储阵列MCU的效应表征和作用机制,揭示了衬底偏置对FDSOI SRAM SEU敏感性的影响机理.研究结果表明:对5款被测FDSOI SRAM而言,抗SEU能力由弱到强依次为八管加固型SRAM2、冗余加固型SRAM1、双互锁结构(DICE)型SRAM3或SRAM4、双DICE型SRAM5;3款DICE型FDS
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