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采用中频交流磁控溅射方法，在玻璃基底上依次沉积了Mo、CuIn、CuGa薄膜，制备了CuInGa（CIG）双层预制膜，采用固态硒化法制备获得了Cu（In1-xGax）Se2（CIGS）吸收层薄膜，考察了CuGa层制备过程中工作气压的改变，对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分，采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明，改变溅射制备CuGa层的工作气压，所获得的CIG双层预制膜均由Cu11In9、CuIn和CuGa组成。在溅射制备CuGa层的工作气压为1．0Pa的