【摘 要】
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基于65 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计一种2.4 GHz的两级全差分功率放大器。通过采用片上变压器实现单端信号和差分信号之间的转换和输入输出阻抗匹配和将驱动级作
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院大学
【基金项目】
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上海经信委资金资助项目(13XI—32);国家科技重大专项项目(2011ZX02506—004)
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基于65 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计一种2.4 GHz的两级全差分功率放大器。通过采用片上变压器实现单端信号和差分信号之间的转换和输入输出阻抗匹配和将驱动级作为预失真器的模拟预失真技术提高线性度,从而实现高增益、高集成度和高线性度的功率放大器芯片。芯片面积为1.08 mm×1.37 mm。仿真结果表明:在2.4 GHz的工作频点,功率放大器的-1 d B输出功率为22.9 d Bm,功率附加效率为23.5%,小信号增益为27.2 d B,三阶交调失真为-35.6 d Bc。
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