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用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法制备氮掺杂氟化非晶碳（a-C：F）薄膜，用电桥测试薄膜的介电常数．研究不同工艺参量对薄膜电学性能的影响．结果表明：掺杂氮、高射频功率、高沉积温度以及热退火都导致薄膜介电常数上升．
含氮氟化非晶碳（a-C：F：N）薄膜电学性能的研究
【摘 要】
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用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法制备氮掺杂氟化非晶碳（a-C：F）薄膜，用电桥测试薄膜的介电常数．研究不同工艺参量对薄膜电学性能的影响．结果表明：掺杂氮、高射频功率、高沉
【机 构】
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湖南工业大学师专校区物理与电子工程系
【出 处】
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株洲师范高等专科学校学报
【发表日期】
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2007年5期
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