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在不同的衬底温度下，用脉冲激光沉积（PLD）方法制备了C轴高度取向的ZnO薄膜．采用同步辐射掠入射X射线衍射（GID）技术研究了ZnO薄膜与Si（111）衬底的界面结构．GID结果表明：不管衬底温度是500℃还是300℃，在无氧气氛下用PLD方法制备的ZnO外延膜均处于压应力状态，且随着X射线探测深度的增加，应力增大．结合常规X射线衍射技术，计算了薄膜内的双轴应力；给出了样品的泊松比和c／a值，得出两样品均接近理想的六方密堆积结构，偏离标准的ZnO值．综合各方面实验结果，说明衬底温度控制在500℃时生长的