【摘 要】
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运用第一原理密度泛函理论方法,首先计算了MoSi2各清洁表面的表面能,(001)Si-|-Si断面具有较低的表面能,是MoSi2最可能的解理面;通过生成能及键布居分析研究了单氧原子、双氧
【机 构】
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北京科技大学新金属材料国家重点实验室,中国石油天然气管材研究所
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运用第一原理密度泛函理论方法,首先计算了MoSi2各清洁表面的表面能,(001)Si-|-Si断面具有较低的表面能,是MoSi2最可能的解理面;通过生成能及键布居分析研究了单氧原子、双氧原子及氧分子在(001)Si-|-Si断面的吸附行为,发现单氧原子在空位处吸附最稳定,此时O极易与Si结合,得到的Si-O-Si键长及键角与SiO2的非常接近,表明低浓度下O极易与表面的Si结合生成SiO2;双氧原子发生空位+顶位吸附时O原子除与Si有强作用外,可与Mo有一定相互作用;氧分子以平行的方式接近空位最有利于吸附,此时氧分子最易分解为氧原子,发生氧原子在空位的吸附.
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