【摘 要】
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欧洲微电子研究中心(Interuniversity Microelectronics Cent。即IMEC)与其合作伙伴共同开发了在200mm硅芯片上生长GaN/AlGaN的技术。借助这项新技术,GaN MISHEMTs(metal-ins
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欧洲微电子研究中心(Interuniversity Microelectronics Cent。即IMEC)与其合作伙伴共同开发了在200mm硅芯片上生长GaN/AlGaN的技术。借助这项新技术,GaN MISHEMTs(metal-insulator semiconductor highelectron mobility transistors,无金属高电子迁移率晶体管)能够严格按照CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)的污染
The Interuniversity Microelectronics Cent., Or IMEC, has partnered with its partners to develop GaN / AlGaN technology on 200mm silicon chips. With this new technology, GaN-based MISHEMTs (metal-insulator semiconductor highelectron mobility transistors) can be manufactured in strict accordance with CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) contamination
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