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Ga（In）AsN材料是一种新颖的半导体材料,对其进行适当的n型掺杂后其能带可调,宽度可调范围为0.8-1.4eV,并且与Ge、GaAs衬底材料晶格匹配。这种独特的性能为新型光电器件的研发和应用提供了一个不可取代的候选材料。通过低温（T=10K）光致发光方法研究了激发功率密度对GaInNAs/GaAs单层子阱结构光致发光（PL）性能的影响。