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通过提高发射区方块电阻, 配合密栅线丝网印刷工艺, 制备了性能优良的多晶硅太阳电池。对比两种不同扩散工艺的方块电阻和ECV浓度, 分析发射区方块电阻对太阳电池电性能参数的影响。结果表明: 方阻为80Ω/□的发射区比70Ω/□的发射区的太阳电池串联电阻增加了0.03mΩ, 导致填充因子下降0.05%, 但是开路电压和短路电流密度分别提高了0.9mV和0.13mA/cm2, 最终转换效率仍然提高了0.08%。