【摘 要】
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A CZ-Si(100)wafer, n-type with a resistivity ranging from 0.01~0.09 Ωcm, was pre-implanted with 30 keV He ions, to a dose of 3×1016/cm2 at 700 K. After He imp
【出 处】
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IMP & HIRFL Annual Report
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A CZ-Si(100)wafer, n-type with a resistivity ranging from 0.01~0.09 Ωcm, was pre-implanted with 30 keV He ions, to a dose of 3×1016/cm2 at 700 K. After He implantation, the wafer was cut into two segments. One segment denoted 200#, and another segment denoted 201#. The sample 200# was pre-annealed at 1073 K for 30 min. He atoms out-diffuse from the silicon during the thermal annealing, producing a supersaturation of vacancies(void formation).
A CZ-Si (100) wafer, n-type with a resistivity ranging from 0.01 to 0.09 Ωcm, was pre-implanted with 30 keV He ions, to a dose of 3 × 10 16 / cm 2 at 700 K. After He implantation, the The sample 200 # was pre-annealed at 1073 K for 30 min. He atoms out-diffuse from the silicon during the thermal annealing, producing a supersaturation of vacancies (void formation).
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