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采用均匀设计的方法设计了4因素16水平的HDDR工艺条件优化实验方案，建立了工艺参数与磁性能之间的神经网络数学模型，利用该模型结合微观结构的变化研究了各工艺参数以及多因素之间的交互作用对磁性能的影响规律，并对工艺条件进行了优化。结果表明：数学模型预测磁性能结果与实测结果吻合良好，剩磁Br的相对误差在2．85％以内，最大磁能积（BH）m的相对误差的在4．60％以内，内禀矫顽力Hcj的相对误差的最大值为6．0％，建立的数学模型有较好的可靠性。采用预测的HI）DR工艺条件，成功制备出了氮含量高、相组成单-的Sm