【摘 要】
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用背散射技术分析了辉光放电法制备的非晶硅太阳电池。测出了a—Si:H、Al、ITO各层膜的厚度,H和C在非晶硅氢合金中的浓度。分析出了a—Si:H表面含有的某些金属杂质的浓度。消
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用背散射技术分析了辉光放电法制备的非晶硅太阳电池。测出了a—Si:H、Al、ITO各层膜的厚度,H和C在非晶硅氢合金中的浓度。分析出了a—Si:H表面含有的某些金属杂质的浓度。消除这些杂质后,a—Si:H大阳电池的性能和稳定性得到改善。
The backscattering technique was used to analyze the amorphous silicon solar cells prepared by glow discharge method. The thickness of the a-Si: H, Al, ITO films, and the concentrations of H and C in the amorphous silicon-hydrogen alloy were measured. The concentration of some metal impurities contained in the a-Si: H surface was analyzed. After eliminating these impurities, the performance and stability of a-Si: H solar cells are improved.
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