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金相、X射线电子能谱和显微硬度等实验表明,Si在Al-0.35wt-％Si合金氧化膜下的过饱和空位造成的空位坑中有Si的偏聚.这种偏聚只能用空位-Si原子复合体扩散导致的非平衡偏聚理论来解释。
Si在Al—0.35wt—%Si合金表面的非平衡偏聚
【摘 要】
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金相、X射线电子能谱和显微硬度等实验表明,Si在Al-0.35wt-％Si合金氧化膜下的过饱和空位造成的空位坑中有Si的偏聚.这种偏聚只能用空位-Si原子复合体扩散导致的非平衡偏聚理论
【机 构】
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北京科技大学
【出 处】
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金属学报
【发表日期】
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1992年9期
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