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对ｎ型电子有效质量各向异性半导体量子阱，给出了子带间正入射吸收的振子强度解析表达式。这种子带间的跃迁有束缓缚基态到束缚的激发激态的，有束缚基态到扩展的激发态的，以ＡｌＡｓ／ＧａＡｌＡｓ为例研究了量子阱生长方向，阱宽对量子阱吸收波长和振子强度的影响。
n型AlAs／GaAlAs量子阱子带间正入射吸收跃迁振子强度
【摘 要】
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对ｎ型电子有效质量各向异性半导体量子阱，给出了子带间正入射吸收的振子强度解析表达式。这种子带间的跃迁有束缓缚基态到束缚的激发激态的，有束缚基态到扩展的激发态的，以ＡｌＡｓ／ＧａＡｌＡｓ为例研
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院红外物理国家重点实验室,DepartmentofPysics
【出 处】
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红外与毫米波学报
【发表日期】
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1997年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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