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为了提高紫外成像对放电检测的准确性,通过实际公式得出光子数与放电量之间的关系,并将光子参数用于放电强度的量化分析中;以绝缘子作为研究对象,利用SIFIT全日盲紫外成像仪,研究电晕放电时光子数与放电量随仪器增益、电压强度、测量距离变化的关系。试验结果表明:光子数与放电量随着电压的增大呈非线性增加;随着紫外成像仪增益的增大,光子数与放电量之间的关系曲线大致相同;光子数与放电量呈正相关的关系,与理论公式曲线变化趋势相同。研究结果在工程应用上对紫外成像检测技术具有重要的参考价值。