等离子平板显示选址芯片设计

来源 :电路与系统学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jason008_xu

【摘要】

：

采用标准CMOS工艺设计出PDP(Plasma Display Panel)选址芯片,重点设计出一种高压结构-HV-CMOS(High Voltage CMOS)结构,采用单阱非外延工艺以降低生产难度和成本,实现了高低

【作者】

：

吴建辉孙伟锋李红陆生礼

【机构】

：

东南大学

【出处】

：

电路与系统学报

【发表日期】

：

2003年5期

【关键词】

：

等离子平板显示高压CMOS 高/低压兼容 CMOS工艺 PDP HV-CMOS High Voltage/Low Voltage compatible

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采用标准CMOS工艺设计出PDP(Plasma Display Panel)选址芯片,重点设计出一种高压结构-HV-CMOS(High Voltage CMOS)结构,采用单阱非外延工艺以降低生产难度和成本,实现了高低压之间的兼容.同时采用TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟、并用MEDICI分析其电流-电压和击穿等特性,说明该结构可以满足设计要求.

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