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本文对HfO2和HfSixOy薄膜与热氯化物TEOS和Si之间具有最大蚀刻选择比的湿法蚀刻剂的最佳配比进行了实验设计论证。并在生产环境中实现了理想的蚀刻速率。
Hf基高k薄膜的选择性去除
【摘 要】
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本文对HfO2和HfSixOy薄膜与热氯化物TEOS和Si之间具有最大蚀刻选择比的湿法蚀刻剂的最佳配比进行了实验设计论证。并在生产环境中实现了理想的蚀刻速率。
【机 构】
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HoneywellElectronicMaterials
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2006年6期
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