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采用机械合金化一电场激活压力辅助合成（MA—FAPAS）技术，快速合成Sc，Sb掺杂的Mg2Si基热电材料，并对其进行电性能的测试与分析。结果表明：掺杂摩尔分数为0．47％Sb的Mg2Si试样在测试温度范围内，电导率和Seebeck系数均优于未掺杂试样，其平均电功率因子约为后者的2．2-2.3倍；电导率比采用熔融-热压法制备的同类试样有所提高；在低温阶段，掺杂摩尔分数为0．43％Sc的Mg2Si试样Seebeck系数约为307K，达未掺杂试样的2．03倍；电功率因子在温度低于550K时高于未掺杂试样，最大