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进行单晶基片和分子束外延（MBE）片两种GaAs（100）光电阴极材料高、低温激活实验，高温处理温度为600℃，低温处理温度分别为580℃、450℃和410℃，阴极每次激活后都利用多信息量测试系统在线测试了其光谱响应曲线。测试结果显示，单晶基片材料在这些温度下的低温激活，灵敏度都比高温提高了30％以上，而MBE外延材料的低温激活结果与低温处理温度有密切关系，在580℃低温处理下，阴极激活后的灵敏度比高温时降低了40．6％，当将低温处理温度降低到450℃，尤其是降低到410℃时，低温激活灵敏度则大幅提高了3