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高质量具有大临界电流密度（JC)Hg-12122和T1－1212外延膜的获得，使检验和比较它们的JC成为可能。结果表明，1212系列的JC在低磁场下具有十分类似的温度行为。这明显说明，由于在1212结构中Hg和T1的替换所引起的30K临界温度（TC）的漂移主要是因为在载流子浓度和（或）电子价键结构上的改变。