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垂直磁记录单层膜霍尔磁头读出过程的研究
垂直磁记录单层膜霍尔磁头读出过程的研究
来源 :磁记录材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tansb87
【摘 要】
:
本文对垂直磁记录单层膜用InSb、InAs半导体材料制作的霍尔磁头的读出过程进行了理论分析。
【作 者】
:
张圣华
裴先登
【机 构】
:
华中理工大学,华中理工大学
【出 处】
:
磁记录材料
【发表日期】
:
1991年1期
【关键词】
:
垂直磁记录
单层膜
半导体材料
磁场电效应
理论分析
垂直磁化
头盘
漏磁场
漏磁通
垂直式
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本文对垂直磁记录单层膜用InSb、InAs半导体材料制作的霍尔磁头的读出过程进行了理论分析。
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