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采用GSMBE方法及典型的器件工艺制成了用InAlAs作为肖特基势垒增强材料的高性能InAlAs/InGaAs/InP MSM光电探测器。用自制的测试系统对器件的直流和瞬态特性进行了测试,测试结果表明,器件的击穿电压大于30V,在10V偏压下暗电流小于20nA,对应的暗电流密度为3pa/μm^2,优于已有文献的报导。