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用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜,用Ce3d的XPS谱计算了Ce^3+浓度,研究了退火条件对氧敏CeO2-x薄膜的晶体结构及电子组态的影响,XRD和AFM分析表明,薄膜经973K至1373退火后,形成了CaF2型结构的CeO2-x其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚,退火温度在973K至1173K时(200)晶面是择优取向的,在1373退化4h后,可得到热力学稳定的CeO2-x在退火前