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【正】 近几年来,腔内充满液晶的F—P标准具型的热光双稳态器件元研究有较大的突破,其临界入射光功率Pc已降低到可进行阵列操作的地步。1990年Lloyd等用掺染料液晶作为介质已使临界功率降低到10μW以下。国内这方面的研究报道甚少,1990我们报道了室温下用5CB单质液晶为介质的临界入射光功率低于100μW的初步结果,1991年我们又获得室温工作下,P_c【15μW的结果。