高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制

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【摘要】

：

在6H-SiC衬底上，外延生长了AlGaN／GaNHEMT结构，设计并实现了高性能1mmAlGaN／GaN微波功率HEMT，外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长．测试表明，该1mm栅宽器件栅长为0．8,um，输出

【作者】

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罗卫军陈晓娟李成瞻刘新宇和致经魏珂梁晓新王晓亮

【机构】

：

中国科学院半导体研究所,中国科学院微电子研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年11期

【关键词】

：

ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管微波功率功率增益 AlGaN/GaN HEMT microwave power power gain

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在6H-SiC衬底上，外延生长了AlGaN／GaNHEMT结构，设计并实现了高性能1mmAlGaN／GaN微波功率HEMT，外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长．测试表明，该1mm栅宽器件栅长为0．8,um，输出电流密度达到1．16A／mm，跨导为241mS／mm，击穿电压〉80V，特征频率达到20GHz，最大振荡频率为28GHz．5.4GHz连续波测试下功率增益为14．2dB，输出功率达4．1W，脉冲条件测试下功率增益为14．4dB，输出功率为5．2W，两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力．

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