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本文研究了多晶硅在双极器件上的应用。制作了多晶硅二极管,它的正向导通电压只有0.3-0.5伏;用多晶硅隔离代替通常的pn结隔离做出了I~2L接口电路;成功地制造了多晶硅I~2L电路并对7级环形振荡器进行了测量,每级门的最小平均延迟时间为10ns左右(8μ工艺)。在选择外延生长过程中,发现多晶硅对外延缺陷有萃取作用。