【摘 要】
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为了比较分析纳秒激光和皮秒激光剥离微型发光二极管（micro-LED）时AlN上GaN的热传导效果，采用了改进的实时紫外光吸收和热传导的激光剥离理论模型进行计算分析的方法，取得了在不同的激光波长、激光脉冲宽度、激光能量密度下的紫外波段光辐照时和停止辐照后GaN材料热场分布等数据，并获得了适合micro-LED器件剥离的所用纳秒激光和皮秒激光的阈值条件。结果表明，激光脉宽、激光波长、激光能量密度是实
【机 构】
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上海微电子装备(集团)股份有限公司
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为了比较分析纳秒激光和皮秒激光剥离微型发光二极管（micro-LED）时AlN上GaN的热传导效果，采用了改进的实时紫外光吸收和热传导的激光剥离理论模型进行计算分析的方法，取得了在不同的激光波长、激光脉冲宽度、激光能量密度下的紫外波段光辐照时和停止辐照后GaN材料热场分布等数据，并获得了适合micro-LED器件剥离的所用纳秒激光和皮秒激光的阈值条件。结果表明，激光脉宽、激光波长、激光能量密度是实现激光剥离工艺的关键因素；较适合的激光波长为209nm～365nm的紫外波段；皮秒激光的剥离效果优于纳米激光，且激光的脉冲宽度越短，激光的波长越短，剥离所需激光脉冲阈值能量也越低，则对LED芯片区域的热影响也越小。该研究可为开发新型激光剥离设备和相关工艺应用提供重要参考。
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