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对温度500℃、RF氧等离子体氧化生长的SiO2形成的MOS结构进行了DLTS测量。应用能量分辨DLTS模型对这种高密度界面陷阱的特性进行了分析和计算。结果表明界面电子陷阱在禁带上半部的密度为3~8×10^12eV^-1cm^-2;俘获截面σn(E)约为10^-18cm^2数量级。结合准静态C-V测量研究了后退火对陷阱的影响,经400℃/30分钟、N2气氛热退火可使陷阱密度降为1~2×10^11e