【摘 要】
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在碱性硼酸盐体系中,使用新型的交变方波电源在镁合金AZ91D上制备微弧氧化膜。用正交实验法研究电压、频率和占空比等电源参数对微弧氧化膜性能的影响。结果表明:微弧氧化膜
【机 构】
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浙江大学化学系,中国科学院金属研究所腐蚀与防护国家重点实验室
【出 处】
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Transactions of Nonferrous Metals Society of China
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在碱性硼酸盐体系中,使用新型的交变方波电源在镁合金AZ91D上制备微弧氧化膜。用正交实验法研究电压、频率和占空比等电源参数对微弧氧化膜性能的影响。结果表明:微弧氧化膜的厚度随电压和占空比的升高而增厚,但随频率的升高而减薄。氧化膜的结构和形貌随电源参数的变化而变化,氧化膜上的孔隙和裂缝会随着电压和占空比的升高而增多。当电压低于120V时,只能得到薄而透明的氧化膜,氧化膜的主要成分为MgO,Al2O3,MgAl2O4和MgSiO3。在3.5%氯化钠溶液中,采用电化学阻抗谱和极化曲线检测了氧化膜的耐腐蚀性。结果表明,当电压、频率和占空比分别为140V,2000Hz和0.4时,微弧氧化膜的耐腐蚀性最好。
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