【摘 要】
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利用理论模型求得了脉冲激光辐照半导体薄膜材料的温度场解析解。结合ＫｒＦ准分子脉冲激光对淀积在熔凝石英衬底上的ａ－ＳｉＨ薄膜以及ａ－ＳｉＨ／ａ－ＳｉＮｘＨ多量子阱结构材料的热退火处理，分析了膜厚、激光能量密
【机 构】
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南京大学物理系固体微结构物理实验室
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利用理论模型求得了脉冲激光辐照半导体薄膜材料的温度场解析解。结合ＫｒＦ准分子脉冲激光对淀积在熔凝石英衬底上的ａ－ＳｉＨ薄膜以及ａ－ＳｉＨ／ａ－ＳｉＮｘＨ多量子阱结构材料的热退火处理，分析了膜厚、激光能量密度以及ａ－ＳｉＨ／ａ－ＳｉＮｘＨ多量子阱结构材料中的子层厚度比对温度场性质及ａ－ＳｉＨ薄膜的晶化效果的影响。
The analytical solution of temperature field of pulsed laser irradiated semiconductor thin film material was obtained by theoretical model. Combined with the KrF excimer laser pulse annealing of a-SiH thin films deposited on fused silica substrates and a-SiH / a-SiNxH multiple quantum well structure materials, the effects of film thickness, laser energy density and a- Effect of Sublayer Thickness Ratio in SiH / a-SiNxH Multi-Quantum Well Structure Materials on Temperature Field Properties and Crystallization Effect of a-SiH Thin Films.
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